Aniversario

El transistor cumple 69 años

Sus tres descubridores fueron galardonados con el Premio Nobel unos años después del hallazgo

23.12.2016 | 18:42
John Bardeen, William Shockley, Walter Brattain, inventores del transistor.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término 'transistor' es la contracción en inglés de 'transfer resistor' ('resistor de transferencia').

Acabada la Segunda Guerra Mundial, William Shockley encabezó un grupo de física de estado sólido en Bell Labs. Entre sus trabajos, investigó reemplazos de semiconductores para los tubos de vacío y conmutadores electromecánicos utilizados en el Sistema Telefónico de Bell.

Como resultado, concibió un amplificador de "efecto de campo" y un interruptor basado en la tecnología de germanio y silicio desarrollada durante la guerra, pero no funcionó como estaba previsto. Un año más tarde, el físico teórico John Bardeen sugirió que los electrones en la superficie del semiconductor podrían estar bloqueando la penetración de campos eléctricos en el material, negando cualquier efecto. Con el físico experimental Walter Brattain, Bardeen comenzó a investigar el comportamiento de estos "estados superficiales".

El 16 de diciembre de 1947, sus investigaciones culminaron en el primer amplificador de semiconductores exitoso. Bardeen y Brattain aplicaron dos contactos de oro estrechamente espaciados mantenidos en su lugar por una cuña de plástico a la superficie de una pequeña plancha de germanio de alta pureza. La tensión en un contacto moduló la corriente que fluía a través del otro, amplificando la señal de entrada hasta 100 veces. El 23 de diciembre demostraron su dispositivo a los responsables de Bell Labs, en lo que Shockley consideró "un magnífico regalo de Navidad".

Bautizado 'transistor' por el ingeniero eléctrico John Pierce, Bell Labs anunció públicamente el revolucionario dispositivo de estado sólido en una conferencia de prensa en Nueva York el 30 de junio de 1948. Un portavoz ya afirmó entonces que este avance podría tener "un significado de gran alcance en electrónica y electricidad comunicación."

En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".

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